库存:1512

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 供应商设备包 TO-247-3
  • 漏源电压 (Vdss) 700 V

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