技术细节

• 包装/箱 8-PowerWDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 23A (Ta), 180A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 1mOhm @ 38A, 10V
• 功耗（最大） 820mW (Ta), 52W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 934µA
• 供应商设备包 8-PQFN (3.3x3.3)
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
• Vgs（最大） +16V, -12V
• 漏源电压 (Vdss) 25 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 24 nC @ 4.5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4040 pF @ 13 V