- 产品型号 G3R350MT12D
- 品牌 GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 420mOhm @ 4A, 15V
- 功耗（最大） 74W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.69V @ 2mA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V
- Vgs（最大） ±15V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 12 nC @ 15 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 334 pF @ 800 V
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