库存:1638

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电流 - 平均整流 (Io) 50A
  • 供应商设备包 TO-247-2
  • 工作温度 - 结 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 3300 V

相关产品


SIC MOSFET N-CH TO263-7

库存: 639

3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET

库存: 0

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

库存: 1013

DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

库存: 0

DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2

库存: 1882

DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247

库存: 145

DIODE SIL CARB 3.3KV 30A TO247

库存: 30

SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX

库存: 0

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

库存: 463

Top