技术细节

• 包装/箱 3-XDFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 P-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• 功耗（最大） 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.1V @ 250µA
• 供应商设备包 DFN1110D-3
• 年级 Automotive
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
• Vgs（最大） +12V, -20V
• 漏源电压 (Vdss) 50 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 0.6 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 23.2 pF @ 25 V
• 资质 AEC-Q101