技术细节

• 包装/箱 TO-247-3
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 85mOhm @ 10A, 15V
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 5mA
• 供应商设备包 TO-247-3
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 16 nC @ 5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 810 pF @ 200 V