技术细节

• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200A (Ta)
• 漏源电压 (Vdss) 40 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 235 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6120 pF @ 15 V