- 产品型号 G080P06T
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 0
- 描述 MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 195A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- 功耗（最大） 294W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-220
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
相关产品
MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
库存: 56
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
库存: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
库存: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
库存: 10000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
库存: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
库存: 10000
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
库存: 0
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
库存: 49790
MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
库存: 5802
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
库存: 1602
