库存:13289

技术细节

  • 包装/箱 PowerPAK® 1212-8
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
  • 功耗(最大) 1.5W (Ta)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
  • 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 18 nC @ 10 V

相关产品


N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.

库存: 956

MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L

库存: 117000

DIODE SCHOTTKY 200V 4A POWERDI5

库存: 1513

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

库存: 41854

MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3

库存: 42946

Top