技术细节

• 包装/箱 TO-257-3
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
• 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A (Tc) (165°C)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 415mOhm @ 4A
• 功耗（最大） 47W (Tc)
• 供应商设备包 TO-257
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 324 pF @ 35 V