技术细节

• 包装/箱 TO-276AA
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
• 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A (Tc) (158°C)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 170mOhm @ 8A
• 功耗（最大） 200W (Tc)
• 供应商设备包 TO-276
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 720 pF @ 35 V