技术细节

• 包装/箱 TO-258-3, TO-258AA
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
• 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 25mOhm @ 50A
• 功耗（最大） 769W (Tc)
• 供应商设备包 TO-258
• 漏源电压 (Vdss) 600 V