技术细节

• 包装/箱 Die
• 安装类型 Surface Mount
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 1.3mOhm @ 40A, 5V
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 20mA
• 供应商设备包 Die
• 漏源电压 (Vdss) 30 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2300 pF @ 15 V