- 产品型号 RV2C010UNT2L
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:25228
技术细节
- 包装/箱 SC-101, SOT-883
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
- 功耗(最大) 400mW (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 1mA
- 供应商设备包 VML1006
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.2V, 4.5V
- Vgs(最大) ±8V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 40 pF @ 10 V