技术细节

• 包装/箱 Die
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 45mOhm @ 1A, 5V
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 800µA
• 供应商设备包 Die
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
• Vgs（最大） +6V, -4V
• 漏源电压 (Vdss) 60 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.15 nC @ 5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 115 pF @ 30 V