- 产品型号 IPW65R048CFDAFKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 63.3A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 48mOhm @ 29.4A, 10V
- 功耗（最大） 500W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 2.9mA
- 供应商设备包 PG-TO247-3
- 年级 Automotive
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 270 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 7440 pF @ 100 V
- 资质 AEC-Q101
相关产品
IC MCU 8/16BIT 128KB FLSH 44VQFN
库存: 890
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
库存: 8402
MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
库存: 323
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
库存: 143
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
库存: 194
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
库存: 139
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
库存: 493
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
库存: 240
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
库存: 273
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
库存: 250
