库存:18645

技术细节

  • 包装/箱 PowerPAK® 1212-8SH
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13.9A (Ta), 35A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
  • 功耗(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 250µA
  • 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8SH
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
  • Vgs(最大) ±25V
  • 漏源电压 (Vdss) 30 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 59 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1800 pF @ 15 V

相关产品


MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

库存: 9387

IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

库存: 20453

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

库存: 201266

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

库存: 36306

Top