技术细节

• 包装/箱 3-XFDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 P-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 78mOhm @ 500mA, 8V
• 功耗（最大） 810mW (Ta)
• Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA
• 供应商设备包 X4-DSN1006-3
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V, 8V
• Vgs（最大） -12V
• 漏源电压 (Vdss) 20 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 228 pF @ 10 V