库存:4480

技术细节

  • 包装/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 125mOhm @ 1.5A, 10V
  • 功耗(最大) 500mW (Ta)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA
  • 供应商设备包 SOT-23-3
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 30 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 5.6 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 182 pF @ 15 V

相关产品


IC BATT MFUNC LI-ION 1-4C 32VQFN

库存: 8408

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

库存: 27719

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

库存: 86946

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

库存: 34628

MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3

库存: 15788

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

库存: 52788

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

库存: 18676

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

库存: 308293

MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB

库存: 11880

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

库存: 2895

Top