- 产品型号 IMZA65R072M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1740
定价:
- 1 10.29
- 30 8.21
- 120 7.35
- 510 6.48
- 1020 5.84
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 28A (Tc)
- 25°C时的电阻值 94mOhm @ 13.3A, 18V
- 套圈材料 96W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 4mA
- 最大交流电压 PG-TO247-4-3
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +23V, -5V
- 650 V
- 22 nC @ 18 V
- 744 pF @ 400 V
相关产品
650V 120M SIC MOSFET
库存: 597
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 55
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
库存: 339
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 460
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
库存: 32
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 52
