- 产品型号 IMW65R027M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 20.5
- 30 16.6
- 120 15.62
- 510 14.16
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 47A (Tc)
- 25°C时的电阻值 34mOhm @ 38.3A, 18V
- 套圈材料 189W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 11mA
- 最大交流电压 PG-TO247-3-41
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +23V, -5V
- 650 V
- 62 nC @ 18 V
- 2131 pF @ 400 V
相关产品
SENSOR CURRENT HALL 50A AC/DC
库存: 14004
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
库存: 268
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 1435
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 55
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
库存: 0
SIC MOS TO247-3L 650V
库存: 285
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
库存: 0
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
库存: 1108
