- 产品型号 IPLK60R1K0PFD7ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 5000 0.43
- 10000 0.41
技术细节
- 安装类型 8-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 5.2A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1Ohm @ 1A, 10V
- 套圈材料 31.3W (Tc)
- 势垒类型 4.5V @ 50µA
- 最大交流电压 PG-TDSON-8-52
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 600 V
- 6 nC @ 10 V
- 230 pF @ 400 V
相关产品
HIGH POWER_NEW
库存: 0
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
库存: 0
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
库存: 0
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
库存: 0
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
库存: 0
MOSFET 800V TDSON-8
库存: 0
MOSFET 800V TDSON-8
库存: 0
MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
库存: 15435
IC REG MULTI CONFG ADJ 16MSOP
库存: 0
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
库存: 10441
