- 产品型号 IPBE65R099CFD7AATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1500
定价:
- 1000 3.38
- 2000 3.18
技术细节
- 安装类型 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 24A (Tc)
- 25°C时的电阻值 99mOhm @ 12.5A, 10V
- 套圈材料 127W (Tc)
- 势垒类型 4.5V @ 630µA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-3-10
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 53 nC @ 10 V
- 2513 pF @ 400 V
- AEC-Q101
相关产品
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
库存: 822
MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
库存: 2851
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
库存: 2421
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
库存: 999
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
库存: 2143
