- 产品型号 IQE013N04LM6CGATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1819
定价:
- 5000 1.18
技术细节
- 安装类型 8-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount, Wettable Flank
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 31A (Ta), 205A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.35mOhm @ 20A, 10V
- 套圈材料 2.5W (Ta), 107W (Tc)
- 势垒类型 2V @ 51µA
- 最大交流电压 PG-TTFN-9-1
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 40 V
- 55 nC @ 10 V
- 3900 pF @ 20 V