- 产品型号 IMBG120R090M1HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 1000 6.83
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 26A (Tc)
- 25°C时的电阻值 125mOhm @ 8.5A, 18V
- 套圈材料 136W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 3.7mA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 步进数量 +18V, -15V
- 1200 V
- 23 nC @ 18 V
- 763 pF @ 800 V
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