- 产品型号 SCTWA60N120G2-4
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 1 31.6
- 10 29.14
- 30 27.83
- 120 24.89
- 270 23.74
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 200°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 60A (Tc)
- 25°C时的电阻值 52mOhm @ 30A, 18V
- 套圈材料 388W (Tc)
- 势垒类型 5V @ 1mA
- 最大交流电压 TO-247-4
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 1200 V
- 94 nC @ 18 V
- 1969 pF @ 800 V
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