- 产品型号 IMW65R083M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1560
定价:
- 1 8.79
- 30 7.02
- 120 6.28
- 510 5.54
- 1020 4.99
- 2010 4.67
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 24A (Tc)
- 25°C时的电阻值 111mOhm @ 11.2A, 18V
- 套圈材料 104W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 3.3mA
- 最大交流电压 PG-TO247-3-41
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +20V, -2V
- 650 V
- 19 nC @ 18 V
- 624 pF @ 400 V
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