- 产品型号 IPB19DP10NMATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 TRENCH >=100V PG-TO263-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:3480
定价:
- 1000 1.02
- 2000 0.97
- 5000 0.94
- 10000 0.9
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 P-Channel
- 外部接触面镀层厚度 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
- 25°C时的电阻值 185mOhm @ 12A, 10V
- 套圈材料 3.8W (Ta), 83W (Tc)
- 势垒类型 4V @ 1.04mA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 45 nC @ 10 V
- 2000 pF @ 50 V