- 产品型号 G65P06D5
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
- 分类 单 FET、MOSFET
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技术细节
- 安装类型 8-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 P-Channel
- 外部接触面镀层厚度 65A (Tc)
- 25°C时的电阻值 18mOhm @ 20A, 10V
- 套圈材料 104W (Tc)
- 势垒类型 3.5V @ 250µA
- 最大交流电压 8-DFN (4.9x5.75)
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 60 V
- 75 nC @ 10 V
- 5814 pF @ 25 V
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