- 产品型号 IMW120R020M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
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- 30 24.45
- 120 22.92
- 510 19.56
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 98A (Tc)
- 25°C时的电阻值 26.9mOhm @ 41A, 18V
- 套圈材料 375W (Tc)
- 势垒类型 5.2V @ 17.6mA
- 最大交流电压 PG-TO247-3
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +20V, -5V
- 1200 V
- 109 nC @ 18 V
- 3460 pF @ 800 V
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