- 产品型号 TPS1100DR
- 品牌 Texas Instruments
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
- 分类 单 FET、MOSFET
库存:1500
定价:
- 2500 0.67
- 5000 0.64
- 12500 0.61
技术细节
- 安装类型 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 P-Channel
- 外部接触面镀层厚度 1.6A (Ta)
- 25°C时的电阻值 180mOhm @ 1.5A, 10V
- 套圈材料 791mW (Ta)
- 势垒类型 1.5V @ 250µA
- 最大交流电压 8-SOIC
- 皮带长度 2.7V, 10V
- 步进数量 +2V, -15V
- 15 V
- 5.45 nC @ 10 V