- 产品型号 IPB043N10NF2SATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 AUTOMOTIVE MOSFET
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2085
定价:
- 800 1.09
- 1600 0.93
- 2400 0.88
- 5600 0.85
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 21A (Ta), 135A (Tc)
- 25°C时的电阻值 4.35mOhm @ 80A, 10V
- 套圈材料 3.8W (Ta), 167W (Tc)
- 势垒类型 3.8V @ 93µA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 皮带长度 6V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 85 nC @ 10 V
- 4000 pF @ 50 V