- 产品型号 IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:6098
定价:
- 6000 1.17
技术细节
- 安装类型 9-PowerWDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 47A (Ta), 310A (Tc)
- 25°C时的电阻值 0.58mOhm @ 20A, 10V
- 套圈材料 2.1W (Ta), 89W (Tc)
- 势垒类型 2V @ 250µA
- 最大交流电压 PG-WHTFN-9-1
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±16V
- 25 V
- 82 nC @ 10 V
- 5453 pF @ 12 V