- 产品型号 GT110N06D3
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:6499
定价:
- 5000 0.23
- 10000 0.21
- 25000 0.21
技术细节
- 安装类型 8-PowerVDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 35A (Tc)
- 25°C时的电阻值 11mOhm @ 14A, 10V
- 套圈材料 25W (Tc)
- 势垒类型 2.4V @ 250µA
- 最大交流电压 8-DFN (3.15x3.05)
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 60 V
- 24 nC @ 10 V
- 1059 pF @ 30 V
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