- 产品型号 IMYH200R012M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1682
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 123A (Tc)
- 25°C时的电阻值 16.5mOhm @ 60A, 18V
- 套圈材料 552W (Tc)
- 势垒类型 5.5V @ 48mA
- 最大交流电压 PG-TO247-4-U04
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +20V, -7V
- 2000 V
- 246 nC @ 18 V
相关产品
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
库存: 1299
DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247
库存: 719
SIC DISCRETE
库存: 115
SIC DISCRETE
库存: 179
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
库存: 1782
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
库存: 25
