- 产品型号 SCT055HU65G3AG
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS No
- 描述 AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 600 9.14
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 30A (Tc)
- 25°C时的电阻值 72mOhm @ 15A, 18V
- 套圈材料 185W (Tc)
- 势垒类型 4.2V @ 1mA
- 最大交流电压 HU3PAK
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 650 V
- 29 nC @ 18 V
- 721 pF @ 400 V
- AEC-Q101
相关产品
650V 120M SIC MOSFET
库存: 1475
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
库存: 735
SIC MOS D2PAK-7L 650V
库存: 800
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
库存: 0
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
库存: 15
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
库存: 1704
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
库存: 0
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
库存: 0
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
库存: 20
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
库存: 64
