- 产品型号 G12P10TE
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 安装类型 TO-220-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 P-Channel
- 外部接触面镀层厚度 12A (Tc)
- 25°C时的电阻值 200mOhm @ 6A, 10V
- 套圈材料 40W (Tc)
- 势垒类型 3V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-220
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 25 nC @ 10 V
- 760 pF @ 25 V
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