- 产品型号 GAN190-650EBEZ
- 品牌 Nexperia
- RoHS Yes
- 描述 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 2500 1.49
- 5000 1.43
技术细节
- 安装类型 8-VDFN Exposed Pad
- 匝数 Surface Mount, Wettable Flank
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 11.5A (Tc)
- 25°C时的电阻值 190mOhm @ 3.9A, 6V
- 套圈材料 125W (Tc)
- 势垒类型 2.5V @ 12.2mA
- 最大交流电压 DFN8080-8
- 皮带长度 6V
- 步进数量 +7V, -1.4V
- 650 V
- 2.8 nC @ 6 V
- 96 pF @ 400 V
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