- 产品型号 IMZA65R040M2HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE MOSFET
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:1500
定价:
- 1 12.31
- 10 11.32
- 25 10.85
- 240 9.09
- 480 8.5
- 1200 7.8
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 46A (Tc)
- 25°C时的电阻值 36mOhm @ 22.9A, 20V
- 套圈材料 172W (Tc)
- 势垒类型 5.6V @ 4.6mA
- 最大交流电压 PG-TO247-4-8
- 皮带长度 15V, 20V
- 步进数量 +23V, -7V
- 650 V
- 28 nC @ 18 V
- 997 pF @ 400 V
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