技术细节

• 安装类型 4-DIP (0.157", 4.00mm)
• 颜色 Phototransistor
• 工作温度 0.039" (1mm)
• 电容 Reflective
• 匝数 Through Hole
• 遮蔽 20µs, 20µs
• 悬浮 50 mA
• 30 V
• 50 mA