- 产品型号 EPC2019
- 品牌 EPC
- RoHS Yes
- 描述 GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1000 2.01
- 2000 1.89
- 5000 1.81
技术细节
- 安装类型 Die
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8.5A (Ta)
- 25°C时的电阻值 42mOhm @ 7A, 5V
- 势垒类型 2.5V @ 1.5mA
- 最大交流电压 Die
- 皮带长度 5V
- 步进数量 +6V, -4V
- 200 V
- 2.9 nC @ 5 V
- 288 pF @ 100 V
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