- 产品型号 IPB017N08N5ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 1000 3.52
- 2000 3.3
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 120A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.7mOhm @ 100A, 10V
- 套圈材料 375W (Tc)
- 势垒类型 3.8V @ 280µA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 皮带长度 6V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 80 V
- 223 nC @ 10 V
- 16900 pF @ 40 V
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