- 产品型号 IPB65R110CFDAATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:2360
定价:
- 1000 4.05
- 2000 3.79
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 31.2A (Tc)
- 25°C时的电阻值 110mOhm @ 12.7A, 10V
- 套圈材料 277.8W (Tc)
- 势垒类型 4.5V @ 1.3mA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 118 nC @ 10 V
- 3240 pF @ 100 V
- AEC-Q101
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