- 产品型号 IPD60N10S412ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 2500 0.79
- 5000 0.76
- 12500 0.74
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 60A (Tc)
- 25°C时的电阻值 12.2mOhm @ 60A, 10V
- 套圈材料 94W (Tc)
- 势垒类型 3.5V @ 46µA
- 最大交流电压 PG-TO252-3-313
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 34 nC @ 10 V
- 2470 pF @ 25 V
- AEC-Q101
相关产品
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
库存: 38780
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
库存: 13598
SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-
库存: 360
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
库存: 35524
DIODE SCHOTTKY 60V 3A CFP15B
库存: 4650
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
库存: 52183
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
库存: 45966
IC REG LINEAR 5V 150MA 8MSOP PWR
库存: 15436
