- 产品型号 IPD65R660CFDAATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:6087
定价:
- 2500 1
- 5000 0.96
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 6A (Tc)
- 25°C时的电阻值 660mOhm @ 3.22A, 10V
- 套圈材料 62.5W (Tc)
- 势垒类型 4.5V @ 214.55µA
- 最大交流电压 PG-TO252-3
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 20 nC @ 10 V
- 543 pF @ 100 V
- AEC-Q101
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