- 产品型号 SIHD1K4N60E-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1500
定价:
- 1 1.12
- 10 0.91
- 100 0.71
- 2000 0.46
- 6000 0.44
- 10000 0.42
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 4.2A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.45Ohm @ 500mA, 10V
- 套圈材料 63W (Tc)
- 势垒类型 5V @ 250µA
- 最大交流电压 DPAK
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±30V
- 600 V
- 7.5 nC @ 10 V
- 172 pF @ 100 V