- 产品型号 IMBG120R060M1HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1000 8.63
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 36A (Tc)
- 25°C时的电阻值 83mOhm @ 13A, 18V
- 套圈材料 181W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 5.6mA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 步进数量 +18V, -15V
- 1200 V
- 34 nC @ 18 V
- 1145 pF @ 800 V
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