- 产品型号 IMW120R040M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
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- 1 14.99
- 30 12.14
- 120 11.42
- 510 10.35
- 1020 9.5
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 55A (Tc)
- 25°C时的电阻值 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
- 套圈材料 227W (Tc)
- 势垒类型 5.2V @ 10mA
- 最大交流电压 PG-TO247-3
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +20V, -5V
- 1200 V
- 51 nC @ 18 V
- 1620 pF @ 800 V
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