- 产品型号 IMBG120R350M1HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:3454
定价:
- 1000 3.55
- 2000 3.32
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 4.7A (Tc)
- 25°C时的电阻值 468mOhm @ 2A, 18V
- 套圈材料 65W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 1mA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 步进数量 +18V, -15V
- 1200 V
- 5.9 nC @ 18 V
- 196 pF @ 800 V
相关产品
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
库存: 1525
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
库存: 186
SIC DISCRETE
库存: 277
200V 5A, SINGLE, PMDTM, ULTRA LO
库存: 1476
DIODE GEN PURP 1KV 3A SMBFLAT
库存: 14017
