- 产品型号 IMBG120R234M2HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
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- 1000 3.42
- 2000 3.22
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8.1A (Tc)
- 25°C时的电阻值 233.9mOhm @ 3A, 18V
- 套圈材料 80W (Tc)
- 势垒类型 5.1V @ 900µA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +20V, -7V
- 1200 V
- 7.9 nC @ 18 V
- 290 pF @ 800 V
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